（Magnetic Random Access Memory）是一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而 “随机存取”是指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。 MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方向为依据，存储为 0或 1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。它的速度与我们 PC所使用的内存相比更接近使用 GMR技术的，一般都有 25至 100n s，它拥有静态随机存储器（Static Random Access Memory， SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
MRAM是在 80年代初首次提出的。在 1994年，美国 Honeywe ll公司研发了一种使用巨磁阻（Giant Magneto Resistive， GMR）薄膜技术的 MRAM，并投入了生产。不过，由于它的读取写入时间过长并且集成度低，所以应用只局限于太空和军事领域。近年来， MRAM再度发展起来，并以取代 DRAM装置为目标。
与现有的快闪内存（FLASH）、静态随机存取内存（SRAM）、动态随机存取内存（DRAM）相比， MRAM性能都是非常优秀的。
根据美国专业半导体研究机构 EDN分析，如将 MRAM与 DRAM、 SRAM、 FLASH等内存做比较，在“非挥发性”特色上，目前仅有 MRAM及 FLASH具此功能；而在“随机存取”功能上，则 FLASH欠缺此项功能，仅 MRAM、DRAM、SRAM具备随机存取优点。
就“读取速度”而言， MRAM及 SRAM的速度最快，同为 25～100n s，不过， MRAM仍比 SRAM快； DRAM则为 50～100n s，属于中级速度；相较之下， FLASH的速度最慢。
在写入次数上， MRAM、 DRAM以及 SRAM则都属同一等级，约可写入无限次的记忆，而 FLASH则只约可写入106次。至于“芯片面积”的比较， MRAM与 FLASH同属小规格的芯片，所占空间最小； DRAM的芯片面积则是属于中等规格，SRAM更是属于大面积规格的芯片，其所占的空间最大。
在嵌入式设计规格方面，DRAM、SRAM、FLASH同属良率低、须增加芯片面积设计规格；而 MRAM则是拥有性能高、不须增加芯片面积的特殊设计。
最后在耗电量相比较，只有MRAM以及 SRAM拥有低耗电的优点， FLASH则是属于中级的耗电需求，至于 DRAM更是具有高耗电量的缺点。
(T118)
